Fajták térvezérlésű tranzisztorok
Az ilyen típusú tranzisztor kapu elválasztott félvezető egy dielektromos réteg, amelyre szilícium-dioxidot általában használt szilícium eszközök. Ezek a MOS tranzisztorok jelöli a rövidítés (fém-oxid-félvezető) és a TIR (fém-szigetelő-félvezető). Az angol irodalom általában rövidítve MOSFET vagy MISFET (fém-oxid (Szigetelő) -Semiconductor FET).
Másfelől, a MIS tranzisztorok két csoportba sorolhatjuk.
Az úgynevezett tranzisztor integrált (saját) csatornát (kimerülése típusú tranzisztor), és hogy átadja a feszültséget, hogy a kapu egy összekötő csatorna a forrás és nyelő.
Az úgynevezett indukált csatornás tranzisztorok (dúsítás típusú tranzisztor) fenti elérhető csatornát.
MIS tranzisztorok jellemzi igen nagy bemeneti impedancia. Amikor dolgozik tranzisztorok kell, hogy különös intézkedéseket, hogy megvédje a statikus elektromosság ellen. Például az összes szükséges következtetések rövid forrasztás.
MOS-tranzisztor integrált csatorna.
A csatorna lehet egy vezetőképessége, mint a p-típusú és n-típusú. Mert határozottságot, térjünk a tranzisztor egy p típusú csatorna. Adunk vázlatos szerkezetének a kép tranzisztor (ábra. 1,97), feltételes grafikus jelöléssel tranzisztor p-csatornás típusú (ábra. 1,98, a), és az n-csatornás típusú (ábra. 1,98, b). Arrow, a szokásos módon, azt az irányt mutatja a p rétegről rétegre n.
Megtekintett tranzisztor (.. ábrát 1,97) működhet két módja van: a kimerülése és a dúsítást.
Kimerülése mód megfelel a pozitív feszültség u kötés. Amikor ez a feszültség növekedése lyuk koncentráció a csatorna csökken (mivel a kapu potenciál nagyobb forrás potenciális), ami csökkenti a lefolyó aktuális.
Ha a feszültség u nagyobb kommunikációs cut-off feszültség, azaz a. E. Ha u u ziots link>. A csatorna nem létezik, és a jelenlegi között a forrás és a lefolyó nullával egyenlő.
Az alkoholtartalom-növelés mód megfelel a negatív feszültség u kötés. Ebben az esetben, a nagyobb modulusa az említett feszültség, annál nagyobb a vezetőképessége a csatorna és a nagyobb a leeresztő aktuális.
Itt van egy tranzisztoros kapcsoló áramkör (ábra. 1,99).
A drain áram befolyásolja nemcsak a feszültség u kapcsolatot. hanem a feszültség közötti szubsztrátum és forrás u pi. Azonban a kapu hajtás mindig jobb, hiszen ebben az esetben a bemeneti áramok sokkal kisebb. Továbbá, a feszültség jelenlétét a szubsztrátumon csökkenti szívósság.
A szubsztrátum képez forrást, lefolyó és csatorna p - n átmenet. Ha egy tranzisztor biztosítani kell, hogy a feszültséget az átmenet nem mozdul előre. A gyakorlatban, a szubsztrát van csatlakoztatva a forrás (ahogy az ábrán látható), vagy, hogy pont áramkör, amely potenciálisan nagyobb potenciális forrása (drain potenciál az áramkör kevésbé potenciális forrása fölött volt).
Mi képviseli a kimeneti jellemzőket a MISFET (beépített p -csatorna) KP201L típusú (ábra. 1.100) és annak stokozatvornuyu jellemző (ábra. 1.101).
MISFET-indukált (indukált) csatornán.
A csatorna lehet egy vezetőképessége, mint a p-típusú és n-típusú. Mert határozottságot, térjünk a tranzisztor p-csatornás. Adunk vázlatos szerkezetének a kép tranzisztor (ábra. 1.102), feltételes grafikus jelöléssel tranzisztor p-típusú indukált csatornát (ábra. 1.103, a) és az n-csatornás típusú (ábra. 1.103 b).
Nulla feszültség u kommunikációs csatorna hiányzik (ábra. 1,102) és az elvezetés áram nulla. A tranzisztor működhet csak a kiemelő módban, ami megfelel a negatív feszültség u kötés. Ebben az esetben a u> 0.
Ha az egyenlőtlenség u> u a küszöböt. ahol u a küszöb - az úgynevezett küszöb közötti feszültség forrás és nyelő fordul p-típusú csatorna, amelyen keresztül áram tud folyni. P-csatornás abból a tényből ered, hogy a lyuk koncentrációt a kapu alatt megnő, és az elektron sűrűsége csökken, miáltal a lyuk koncentráció nagyobb, mint az elektron-koncentráció. Ezt a jelenséget nevezzük a változás vezetési típusú inverzió a vezetési típusú, és egy félvezető réteg, amelyben előfordul (és amely a csatorna), - inverz (inverzió). Közvetlenül a megfordított réteget, egy réteg kimerült mobil töltéshordozók. Sokkal vékonyabb kimerülése régió szegényített (inverziós réteg vastagsága 1 · 10-9 május 10 - 9 m, és a vastagsága a kimerült réteg nagyobb, mint 10 és több alkalommal).
Ábrázolják tranzisztor kapcsolóáramkör (ábra. 1,104), a kimeneti jellemzők (ábra. 1,105) és stokozatvornuyu jellemző (ábra. 1.106) a MIS tranzisztor p-csatornás indukált KP301B.
Ajánlom ezt a cikket másoknak!